尧图网页设计 
HBM越来越不像内存了HBM的竞争正悄然转换战场。过去几年市场谈及HBM关注点几乎都集中在SK海力士、三星和美光身上包括谁的DRAM制程更先进谁能堆叠到12层、16层谁的TSV和封装良率更高以及谁最终能进入英伟达的供应链。然而到了HBM4和HBM4E阶段晶圆代工厂成为新角色。近日有报道SK海力士考虑将Intel Foundry引入HBM4E供应链降低对台积电依赖。从HBM4开始HBM对先进逻辑制程依赖增加Base Die改变了游戏规则。在HBM3E及更早代际HBM结构清晰上层是多层DRAM堆叠底层是Base Die过去功能单一存储三巨头可用自家10nm级DRAM工艺生产。但HBM4有重要变化接口密度翻倍总线接口宽度从1024 - bit到2048 - bit英伟达在Rubin平台拉高单Pin速率逻辑功能下沉GPU与ASIC厂商要求将多种电路和模块集成到Base Die。SK海力士官网提到HBM4中逻辑芯片作用凸显。Base Die从简单芯片变为复杂的Logic Base Die触及存储原厂工艺壁垒因为二者制造逻辑不同。于是存储厂商的生意逐渐变为晶圆代工生意晶圆代工厂崭露头角。2024年SK海力士与台积电合作开发HBM4建立三方合作模式目标是Base Die。HBM3E前SK海力士Base Die基本自产HBM4引入台积电先进逻辑工艺改变了HBM产业分工HBM从“特殊存储器”向小型Chiplet系统演变。定制化HBM的时代加速到来随着Base Die的逻辑化HBM从标准件迈向定制化。在今年台积电技术论坛上SK海力士透露将通过采用台积电先进逻辑工艺的Base Die把HBM推向Custom HBM加强Memory与Logic融合。在硅谷SK海力士组建HBM架构设计团队岗位要求涵盖多方面先进工艺经验更像ASIC公司。在其产品路线图中HBM4E和定制HBM是关键方向iHBM解决方案可提升HBM运行稳定性和效率。驱动变革的是下游AI芯片巨头对“打破存储墙”的渴望。Custom HBM从“定制内存”迈向Memory - Compute Co - design改变了HBM产业关系。过去存储厂商生产标准产品如今AI芯片厂商对HBM要求不同标准化HBM难满足需求HBM向ASIC商业模式靠拢。英伟达公布的NVHBM技术将趋势推向高潮。8月26日英伟达把内存控制器从GPU塞进HBM的Base Die相比标准HBM4ENVHBM可带来内存带宽提升、功耗下降释放XPU计算核心面积Amazon旗下团队参与研发。HBM和GPU边界变模糊未来可能形成新的计算系统更多逻辑可能迁移到Base Die。三大HBM厂商三种代工选择目前三星、SK海力士和美光走出不同路线。SK海力士选择专业化分工负责DRAM Core Die和HBM技术将先进Logic Base Die交给台积电等生产HBM4采用台积电12nm级制程HBM4E可能向更先进节点迁移还考虑Intel Foundry为潜在第二来源。三星选择垂直整合路线同时拥有Memory和Foundry今年量产的HBM4使用1c DRAM Core DieBase Die用自家4nm逻辑工艺HBM4E延续此组合后续产品规划推进到2nm工艺这种模式在Custom HBM时代可能有协同优势。美光从自主开发走向代工合作早期HBM4强调内部开发HBM4E则与台积电合作生产Logic Base Die预计定制版毛利率更高这表明Base Die里的定制逻辑可能是HBM未来重要附加价值。对于晶圆代工厂HBM变革意味着新增量。过去代工厂占据GPU/ASIC逻辑芯片代工和CoWoS先进封装两大价值金矿现在HBM逻辑Base Die成为第三个金矿。虽HBM Base Die晶圆需求规模不如GPU但每增加一颗HBM就增加一颗Logic Die随着Base Die制程升级晶圆代工厂在AI内存系统中价值占比将放大。这也是Intel可能进入竞争的原因HBM Base Die是不同切入点对Intel来说是更现实的增量市场。写在最后过去几十年存储产业商业模式是标准化AI打破了这一逻辑。HBM4、HBM4E和NVHBM推动HBM向Memory System演变HBM产业竞争从存储厂商之争变为多方组合竞争。SK海力士考虑给Intel Foundry订单意义重大意味着晶圆代工厂边界向AI系统内部推进。继CPU、GPU、ASIC之后HBM Base Die可能进入先进逻辑Foundry体系HBM下半场竞争关键在Base Die。 HBM竞争换战场：从存储厂商之争到多方组合竞争，Base Die成关键！
HBM越来越不像内存了HBM的竞争正悄然转换战场。过去几年市场谈及HBM关注点几乎都集中在SK海力士、三星和美光身上包括谁的DRAM制程更先进谁能堆叠到12层、16层谁的TSV和封装良率更高以及谁最终能进入英伟达的供应链。然而到了HBM4和HBM4E阶段晶圆代工厂成为新角色。近日有报道SK海力士考虑将Intel Foundry引入HBM4E供应链降低对台积电依赖。从HBM4开始HBM对先进逻辑制程依赖增加Base Die改变了游戏规则。在HBM3E及更早代际HBM结构清晰上层是多层DRAM堆叠底层是Base Die过去功能单一存储三巨头可用自家10nm级DRAM工艺生产。但HBM4有重要变化接口密度翻倍总线接口宽度从1024 - bit到2048 - bit英伟达在Rubin平台拉高单Pin速率逻辑功能下沉GPU与ASIC厂商要求将多种电路和模块集成到Base Die。SK海力士官网提到HBM4中逻辑芯片作用凸显。Base Die从简单芯片变为复杂的Logic Base Die触及存储原厂工艺壁垒因为二者制造逻辑不同。于是存储厂商的生意逐渐变为晶圆代工生意晶圆代工厂崭露头角。2024年SK海力士与台积电合作开发HBM4建立三方合作模式目标是Base Die。HBM3E前SK海力士Base Die基本自产HBM4引入台积电先进逻辑工艺改变了HBM产业分工HBM从“特殊存储器”向小型Chiplet系统演变。定制化HBM的时代加速到来随着Base Die的逻辑化HBM从标准件迈向定制化。在今年台积电技术论坛上SK海力士透露将通过采用台积电先进逻辑工艺的Base Die把HBM推向Custom HBM加强Memory与Logic融合。在硅谷SK海力士组建HBM架构设计团队岗位要求涵盖多方面先进工艺经验更像ASIC公司。在其产品路线图中HBM4E和定制HBM是关键方向iHBM解决方案可提升HBM运行稳定性和效率。驱动变革的是下游AI芯片巨头对“打破存储墙”的渴望。Custom HBM从“定制内存”迈向Memory - Compute Co - design改变了HBM产业关系。过去存储厂商生产标准产品如今AI芯片厂商对HBM要求不同标准化HBM难满足需求HBM向ASIC商业模式靠拢。英伟达公布的NVHBM技术将趋势推向高潮。8月26日英伟达把内存控制器从GPU塞进HBM的Base Die相比标准HBM4ENVHBM可带来内存带宽提升、功耗下降释放XPU计算核心面积Amazon旗下团队参与研发。HBM和GPU边界变模糊未来可能形成新的计算系统更多逻辑可能迁移到Base Die。三大HBM厂商三种代工选择目前三星、SK海力士和美光走出不同路线。SK海力士选择专业化分工负责DRAM Core Die和HBM技术将先进Logic Base Die交给台积电等生产HBM4采用台积电12nm级制程HBM4E可能向更先进节点迁移还考虑Intel Foundry为潜在第二来源。三星选择垂直整合路线同时拥有Memory和Foundry今年量产的HBM4使用1c DRAM Core DieBase Die用自家4nm逻辑工艺HBM4E延续此组合后续产品规划推进到2nm工艺这种模式在Custom HBM时代可能有协同优势。美光从自主开发走向代工合作早期HBM4强调内部开发HBM4E则与台积电合作生产Logic Base Die预计定制版毛利率更高这表明Base Die里的定制逻辑可能是HBM未来重要附加价值。对于晶圆代工厂HBM变革意味着新增量。过去代工厂占据GPU/ASIC逻辑芯片代工和CoWoS先进封装两大价值金矿现在HBM逻辑Base Die成为第三个金矿。虽HBM Base Die晶圆需求规模不如GPU但每增加一颗HBM就增加一颗Logic Die随着Base Die制程升级晶圆代工厂在AI内存系统中价值占比将放大。这也是Intel可能进入竞争的原因HBM Base Die是不同切入点对Intel来说是更现实的增量市场。写在最后过去几十年存储产业商业模式是标准化AI打破了这一逻辑。HBM4、HBM4E和NVHBM推动HBM向Memory System演变HBM产业竞争从存储厂商之争变为多方组合竞争。SK海力士考虑给Intel Foundry订单意义重大意味着晶圆代工厂边界向AI系统内部推进。继CPU、GPU、ASIC之后HBM Base Die可能进入先进逻辑Foundry体系HBM下半场竞争关键在Base Die。